对多晶硅双栅全耗尽SOICMOS工艺进行了研究，开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SOICMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。NM......

选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS......

研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件......